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      2. 傳三星將推出224層閃存:速度提升30% 最快今年底量產

        2022-02-09 09:32:11 來源:快科技
        在3D閃存方面,三星之前一直是領先的,不過美光去年率先量產了176層堆棧的閃存,要想追趕回來,三星最快今年底能量產224層堆棧的閃存,性能還會提升30%。三星的3D閃存V-NAND目前發展到了第七代,最高176層,原本計劃在去年底量產。

         

         

         

        但因為NAND閃存價格下滑等因素,三星選擇推遲量產,今年Q1季度才會正式量產,導致技術上稍微落后于美光等公司。

        不過三星在下一代閃存上有望追回來,最快今年底明年初推出第八代V-NAND閃存,堆棧層數首次超過200層,之前傳聞是228層,現在的說法是224層,相當于在128層基礎上再堆棧96層。

        消息稱,三星的224層閃存性能也很不錯,數據速度提升了30%,同時生產效率也提高了30%。

        此外,三星的224層閃存技術難度也很高,之前三星是唯一一家使用單堆棧技術實現128層閃存的公司,這次的224層則使用了雙堆棧技術,技術挑戰十分嚴峻。


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