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      2. Vishay推出PowerPAK? 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET,優異的RDS(ON) 導通電阻低至0.65 m?

        2022-02-09 09:57:53 來源:Vishay
        賓夕法尼亞、MALVERN — 2022年2月7日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款n溝道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E,以提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。為實現設計目標,60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導通電阻,工作溫度可達+175 °C以及高連續漏極電流。節省空間的PowerPAK® 8x8L封裝采用無引線鍵合鷗翼引線結構消除機械應力,有助于提高板級可靠性。
         
        SiJH600E和SiJH800E超低導通電阻—10 V下典型值分別為0.65 mW和1.22 mW—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54 %和52 %,從而減小了傳導功耗,實現節能的效果。
         
        為提高功率密度,SiJH600E和SiJH800E連續漏極電流分別為373 A和288 A,封裝占位面積比D2PAK封裝減小60 %,高度降低57 %。為節省電路板空間,每款MOSFET還可以用來取代兩個并聯的PowerPAK SO-8器件。
         
        器件規格表:

        產品型號 VDS (V) ID (A) RDS(ON) @ 10 V (mW) Rthjc (°C/W)
        SiJH600E 60 373 0.65 0.36
        SiJH800E 80 299 1.22 0.36
         
        該Vishay Siliconix器件工作溫度可達+175 °C,性能穩定可靠,適用于電源、電機驅動控制、電池管理和電動工具等應用同步整流。器件采用無鉛 (Pb) 封裝、無鹵素、符合RoHS標準,經過100 % Rg和UIS測試。
         
        封裝對比表:

        封裝 長 (mm) 寬 (mm) 高 (mm) 尺寸 (長x寬mm2)
        PowerPAK 8x8L 8.0 7.9 1.8 63.2
        D2PAK (TO-263) 15.2 10 4.4 152
         
        SiJH600E和SiJH800E現可提供樣品。產品供貨周期和數量的相關信息,請與Vishay或我們的經銷商聯系。
         
        VISHAY簡介
        Vishay 是全球最大的分立半導體和無源電子元件系列產品制造商之一,這些產品對于汽車、工業、計算、消費、通信、國防、航空航天和醫療市場的創新設計至關重要。服務于全球客戶,Vishay承載著科技基因——The DNA of tech.Ô。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業”。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站
        www.vishay.com。
         
        The DNA of tech.Ô是Vishay Intertechnology的商標。TrenchFET和PowerPAK是Siliconix公司的注冊商標。


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