貝爾實驗室于1947 年發明的晶體管開創了一個電子設備的時代，電子設備比體積龐大且易碎的真空管電子設備更小、運行更冷，耗電量遠低于同類產品。
在處理氮化鎵（GaN）時，與硅(Si)相比，還有兩個額外的考慮因素可以優化器件性能。
封裝曾經是半導體制造過程中的事后想法，不被大家重視。
最近筆者觀看了一場網絡研討會，主題是平衡MOSFET差分對中的模擬布局寄生效應。這個話題讓筆者很感興趣，因為早在1982年，筆者就在英特爾編
原子層沉積（ALD）工藝被認為是邏輯和存儲半導體器件微縮化的重要推動力。過去20年，ALD工藝及設備已經廣泛應用于邏輯和存儲器件的大批量制
機器學習 (ML)，尤其是基于深度學習 (DL) 的解決方案，正在滲透到我們個人和商業生活的方方面面。
當今數字電路中最流行的晶體管技術是金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)，以其基于施加電壓的動態導電性而聞名。自誕生以來，這些功能
隨著以SiC與GaN為主的第三代半導體應用逐漸落地，被視為第四代之超寬禁帶氧化鎵（Ga2O3）和鉆石等新一代材料，成為下一波矚目焦點，特別是G
